(N/A) પ્રકાશ-વિદ્યુત અસરના પ્રયોગમાં કલેક્ટર પ્લેટ $A$ ને ઉત્સર્જક સાપેક્ષ ધન પોટેન્શિયલ પર રાખવામાં આવે છે.
જ્યારે ધન પોટેન્શિયલનું મૂલ્ય વધારવામાં આવે છે,ત્યારે પ્રકાશ-વિદ્યુત પ્રવાહ પણ વધે છે કારણ કે વધુ ઇલેક્ટ્રોન કલેક્ટર તરફ આકર્ષાય છે.
પ્લેટ $A$ પરના ચોક્કસ ધન વોલ્ટેજ માટે,બધા ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોન કલેક્ટર સુધી પહોંચે છે અને પ્રવાહ તેના મહત્તમ મૂલ્યને પ્રાપ્ત કરે છે.
જો આ બિંદુ પછી કલેક્ટર વોલ્ટેજ વધારવામાં આવે,તો પ્રકાશ-વિદ્યુત પ્રવાહ વધતો નથી. પ્રવાહના આ મહત્તમ મૂલ્યને સેચ્યુરેશન કરંટ (સંતૃપ્ત પ્રવાહ) કહેવામાં આવે છે.
જ્યારે કલેક્ટર વોલ્ટેજને ક્રમશઃ ઘટાડીને ઋણ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઇલેક્ટ્રોન પર અપાકર્ષી બળ લાગે છે.
જેમ કલેક્ટર વોલ્ટેજ વધુ ઋણ બને છે,તેમ અપાકર્ષી બળ વધે છે,જેનાથી માત્ર સૌથી વધુ ઉર્જા ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન જ કલેક્ટર સુધી પહોંચી શકે છે. પરિણામે,કલેક્ટર પ્રવાહ ઝડપથી ઘટે છે.
ઋણ પોટેન્શિયલનું જે ચોક્કસ મૂલ્ય કે જેના પર પ્રકાશ-વિદ્યુત પ્રવાહ શૂન્ય થઈ જાય છે,તેને કટ-ઓફ વોલ્ટેજ અથવા સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કહેવામાં આવે છે,જેને $V_{0}$ વડે દર્શાવવામાં આવે છે.
ધાતુની સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઉર્જા અલગ-અલગ હોવાથી,સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ એ ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઉર્જાનું માપ આપે છે.
જ્યારે પ્રકાશ-વિદ્યુત પ્રવાહ શૂન્ય થાય છે,ત્યારે ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા $(K_{\max})$ એ રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ દ્વારા થયેલા કાર્ય જેટલી હોય છે.
તેથી,$K_{\max} = e V_{0}$.